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天津环鑫科技发展有限公司大直径玻璃钝化芯片(GPP)项目
地址:天津滨海高新区华苑科技园(环外)海泰东路12号B座二层
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项目描述:
项目名称天津环鑫科技发展有限公司大直径玻璃钝化芯片(GPP)项目建设地点天津滨海高新区华苑科技园(环外)海泰东路12号B座二层建设单位天津环鑫科技发展有限公司环境影响评价机构天津市五洲华风科技有限公司项目概况天津环鑫科技发展有限公司是天津中环半导体股份有限公司的全资子公司,拟投资30456万元,在天津滨海高新区华苑科技园(环外)海泰东路12号B座(天津中环半导体股份有限公司现有厂房)二层建设大直径玻璃钝化芯片(GPP)项目。该项目通过改造现有二层空置厂房4000㎡,设置1条大直径玻璃钝化芯片(GPP)生产线;改造天津中环半导体股份有限公司现有含镍废水处理装置用于该项目含镍银废水收集及处理;在厂区现有锅炉房内安装2台4t/h燃气锅炉替代2台2t/h燃气锅炉。该项目预计2018年10月投入生产,年产大直径玻璃钝化芯片(GPP)600万片。该项目环保投资145万元,主要用于废气治理设施、废水处理系统改造、车间防渗、排污口规范化等。主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施根据该项目环境影响报告表分析结论:(一)项目硅片清洗、退火后清洗、扩散前处理、预扩散、扩散后处理、制绒清洗、沟槽腐蚀、腐蚀后清洗、去除氧化层与添加剂A、镀镍、镀银等工序以及供液室逸散产生的酸碱废气经1套酸碱废气碱喷淋净化装置处理后通过1根25m高排气筒(P1)排放;废气中氟化物、氯化氢、硝酸雾、镍及其化合物的排放速率及排放浓度须满足《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)二级标准限值要求,氨的排放速率须满足《恶臭污染物排放标准》(DB12/-059-95)中相应标准限值要求。涂磷硼源、制备添加剂A、制备玻璃浆层工序产生的有机废气经1套RCO废气处理系统处理后,通过1根25m高排气筒(P2)排放;废气中VOCs的排放速率和排放浓度须满足《工业企业挥发性有机物排放控制标准》(DB12/524-2014)中相应标准限值要求。SIPOS沉积工序的2台LPCVD炉及SiO2沉积工序的LPCVD炉产生的尾气经自带尾气处理装置(燃烧处理+水喷淋)处理后,分别通过3跟23m高排气筒(P3、P4、P5)排放,废气中颗粒物、SO2、NOx的排放浓度须满足《工业炉窑大气污染物排放标准》(DB12/556-2015)相应标准限值要求。新建2台4t/h燃气锅炉采用低氮燃烧技术,产生的燃气废气分别经2根23m高排气筒(P6、P7)排放;废气中SO2、NOx、颗粒物的排放浓度须满足《锅炉大气污染物排放标准》(DB12/151-2016)相应标准限值要求。(二)项目酸碱含氟废水进入天津中环半导体股份有限公司现有综合废水处理站处理、含镍银废水进入本项目改建的含镍银废水处理站处理后,与生活污水、纯水制备排浓水、锅炉软水制备排浓水一并经中环半导体股份有限公司废水总排口排放。镍银废水处理设施出口水质须满足《污水综合排放标准》(DB12/356-2018)第一类污染物最高允许排放浓度,总排口水质须满足《污水综合排放标准》(DB12/356-2018)第二类污染物最高允许排放浓度。(三)新增生产设备、锅炉等设备为主要噪声源,应优先选用低噪设备,采取隔声、减振等措施,确保厂界噪声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)3类标准限值要求。(四)固体废物分类收集。生活垃圾袋装收集,交由环卫部门统一清运;废酸、废化学原料包装物、含镍银污泥、含镍银废液、实验废液、废活性炭属于危险废物,交由有资质的单位统一处理;综合废水站污泥、废芯粒及硅片交由物资回收部门回收处理。确保处置去向合理,避免产生二次污染。
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