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锦州市中驰半导体科技有限公司聚焦砷化镓太阳能电池及IGBT项目
地址:光伏产业园起步区
核实中
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- 项目类型:仪器/电子产品
- 工程阶段:构思[纠错]
- 占地面积:核实中
- 建筑面积 :核实中
- 开竣工时间:2010-10-01
至
2011-12-31
项目描述:
该项目总占地面积为86,060平方米, 包括数幢简单装修的厂房及办公楼。备注:○ 该厂房的生产产品为聚焦砷化镓太阳能电池及6英寸IGBT芯片, 总投资12亿元○ 目前(2010年6月23日)项目设计有可能由中国电子工程设计院 - 世源科技工程有限公司负责, 但是尚未最终签订合同, 尚未最终确定设计院工程开始日期: 2010年第四季度。工程结束日期:2011年第四季度。项目地址:光伏产业园起步区项目类型:企业自建写字楼 / 精密仪器、电子产品
销邦互助内容
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- 进展追踪获得项目最新线索
- 采购需求获得项目采购要求
- 找对口人协助查找项目负责人
- 借力合作寻找已经参与项目的单位借力
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