武汉高德红外股份有限公司: 新一代自主红外芯片研发及产业化项目工程地址：湖北省|武汉市东湖新技术开发区黄龙山南路6号一项工业发展，总建筑面积为26550平方米，项目总投资额为470.00 mnRMB，总造价为60.00 mnRMB。包括: * 研发, 生产车间及配套等设施, 建筑面积20000平方米 * 净化车间6000平方米 * 配套化学仓库550平方米项目采用:钢结构-框架结构- ...
1、项目名称：红外焦平面探测器产业化项目
2、建设单位：武汉高德红外股份有限公司
3、企业性质：民营
4、法 人：黄立
5、建设地点：武汉市东湖新技术开发区黄龙山南路6号2#楼，武汉高德红外股份有限公司现有生产基地内。
6、建设性质：改扩建
7、项目投资：24000万元
8、项目简述及建设内容
武汉高德红外股份有限公...
